Untersuchung von deuterierten planaren optischen Wellenleitermaterialien
Um die Leistungsfähigkeit von photonischen integrierten Filterstrukturen zu erhöhen, sind Wellenleiter mit geringer Dämpfung erforderlich. Am Lehrstuhl für Hochfrequenztechnik werden diese Wellenleiter durch plasmaunterstützte chemische Gasphasenabscheidung (PECVD) hergestellt. Dabei werden üblicherweise wasserstoffhaltige Gase eingesetzt, welche zu unerwünschten Wasserstoffverbindungen, wie zum Beispiel Si-H-Verbindungen, in der Wellenleiterschicht führen. Die Oberschwingungen dieser Moleküle absorbieren einen Teil der optischen Signalleistung im C-Band (1530-1565nm), was zu einer Erhöhung der Wellenleiterdämpfung führt.
Zur Reduzierung der Wellenleiterdämpfung werden verschiedene Materialien mit unterschiedlichen Brechzahlen untersucht. Dazu gehören insbesondere Siliziumbasierte Wellenleitermaterialien wie Siliziumoxicarbid und Siliziumoxinitrid. Durch Hinzugabe von Deuterium im Herstellungsprozess der Wellenleiter sollen die kritischen Absorptionsbereiche im Spektrum verschoben und so die Materialdämpfung reduziert werden. Dadurch sollen Erkenntnisse über die optischen Eigenschaften deuterierter Wellenleitermaterialien gewonnen werden.
- Aufnahme des Absorptionsspektrums verschiedener Wellenleitermaterialien
- Untersuchung des Einflusses von der Deuterierung der Materialien
- Optimierung des Dämpfungswerts durch verschiedene Parametervariationen